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सामान्य जानकारी
ABB 3BHE006412R0101
IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), अछूता गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर, एक समग्र रूप से नियंत्रित है
BJT (द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर) और MOS (अछूता गेट फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर) से बना वोल्टेज चालित बिजली अर्धचालक उपकरण,
और MOSFET के उच्च इनपुट में प्रतिबाधा और GTR का कम टर्न-ऑन वोल्टेज ड्रॉप दोनों हैं। GTR संतृप्ति वोल्टेज
कम हो जाता है, वर्तमान ले जाने का घनत्व बड़ा है, लेकिन ड्राइविंग चालू बड़ा है; MOSFET ड्राइविंग पावर छोटा है, टी
वह स्विचिंग गति तेज है, लेकिन चालन वोल्टेज ड्रॉप बड़ी है, और वर्तमान ले जाने वाला घनत्व छोटा है।
आपके सन्दर्भ के लिए
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लीड समय: 2-3 कार्य दिवसों है
तकनीकी विनिर्देश, मैनुअल और डेटा शीट: अनुरोध पर उपलब्ध
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स्वचालन समाचार
इसी समय, उद्योग के आकर्षण में बहुत वृद्धि हुई है, और अधिक उद्यम करेंगे
उद्योग प्रतियोगिता में शामिल हों। यह भविष्यवाणी की है कि चीन में औद्योगिक स्वचालन के कुल उत्पादन मूल्य
2022 में 570 बिलियन युआन से अधिक होगा।
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हमारे बारे में
अधिक स्वचालन लिमिटेड नियंत्रण प्रणाली पर ध्यान केंद्रित, विरासत से अग्रणी बढ़त तक।
हम उच्च गुणवत्ता, अधिशेष नियंत्रण प्रणाली भागों की एक बड़ी सूची है। हम कई नए हार्डवेयर भी वितरित करते हैं
और सॉफ्टवेयर उत्पाद आपके मौजूदा नियंत्रण प्रणाली का समर्थन करने में मदद करने के लिए या नवीनतम नियंत्रण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने के लिए।
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