एलवीसी ४१४ एएसएम लिक्विड वाष्प वेपराइजर कंट्रोलर एलवीसी ४१४

एलवीसी ४१४ एएसएम लिक्विड वाष्प वेपराइजर कंट्रोलर एलवीसी ४१४

उत्पाद विवरण

इलेक्ट्रॉनिक वेपोराइज़र कंट्रोलर LVC-414 को सटीक माप और नियंत्रण के लिए डिज़ाइन किया गया है

डोपिंग सामग्री के द्रव्यमान प्रवाह दर (ग्राम / मिनट) के माध्यम से वाहक गैस के प्रवाह को अलग करके

स्रोत सामग्री से युक्त बबलर।

Source materials include SiCl4, SiHCl3, POCl13, GeCl4 and BBr3. स्रोत सामग्री में SiCl4, SiHCl3, POCl13, GeCl4 और BBr3 शामिल हैं। Other doping material can अन्य डोपिंग सामग्री कर सकते हैं

यह भी नियंत्रित किया जाता है, बशर्ते कि वे सटीक के लिए पर्याप्त एकाग्रता के साथ वाष्पीकरण करें

ratiodetection. ratiodetection। Carrier gases include H2, He, N2, O2 and Ar. कैरियर गैसों में H2, He, N2, O2 और Ar शामिल हैं।

तीन आउटपुट दिए गए हैं:

स्रोत (0 से + 5VDC)

कैरियर (0 से + 5VDC)

अनुपात (0 से + 5VDC)।

इन आउटपुट को 1000 की संवेदनशीलता के साथ किसी भी 5 वोल्ट डीसी वोल्टमीटर से मॉनिटर किया जा सकता है

ohms/volt or more. ओम / वोल्ट या अधिक। A built-in valve varies the carrier mass flow rate to control the source एक निर्मित वाल्व स्रोत को नियंत्रित करने के लिए वाहक द्रव्यमान प्रवाह दर को बदलता है

gram/min. ग्राम / मिनट। selected by an external control voltage. बाहरी नियंत्रण वोल्टेज द्वारा चयनित।

एक छोटे पैकेज में फ्लोमीटर सेक्शन, अनुपात डिटेक्टर, नियंत्रण वाल्व और होते हैं

इलेक्ट्रानिक्स

विशेष विवरण

मिनिमम कैरियर गैस फ्लो: अधिकतम 5%

MAXIMUM SOURCE FLOW: Up to 40 grams/min. मैक्सिमम स्रोत प्रवाह: 40 ग्राम / मिनट तक। full scale पूरा पैमाना

ऑपरेटिंग दबाव रेंज: 10-40 साई अंतर

मैक्सिमम गैस दबाव: 60 psig

जीएएस और सहायक तापमान रेंज: 60-90 ° F (15-35 डिग्री सेल्सियस) विशेष अनुरोध पर 43 डिग्री सेल्सियस तक

परिणाम: सेटपॉइंट के 4% के भीतर 10 सेकंड

वाहक गैस: हाइड्रोजन, हीलियम, नाइट्रोजन, ऑक्सीजन या आर्गन, मिश्रित गैस

दोहराव: of 0.5% पूर्ण पैमाने पर

दबाव की संवेदनशीलता:% 0.25% 10 से 40 psid से दबाव के लिए पूर्ण पैमाने पर

सुरक्षा और लाइन:। 4.0% पूरे ऑपरेटिंग रेंज पर पूर्ण पैमाने पर

COMMAND SETTING: 0.1 से 5 vdc

बाहर संकेत:

1. स्रोत: वाष्पशील तरल के द्रव्यमान प्रवाह दर के लिए 0.1-5 vdc रैखिक रूप से आनुपातिक

2. वाहक: वाहक गैस के द्रव्यमान प्रवाह दर के लिए 0.1-5 vdc रैखिक रूप से आनुपातिक

3. RATIO: वाहक प्रवाह के वाष्प प्रवाह (SCCM) के अनुपात में 0.1-5 vdc रैखिक रूप से आनुपातिक

(SCCM) 5 vdc = 50% के साथ बढ़ाया गया

OUTPUT महत्व: अधिकतम 10 ओम

तरंग: 50 mV पीपी अधिकतम

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